相关考题
-
多项选择题
CMP工艺的三大关键因素是（）
A.抛光机
B.抛光液
C.抛光盘
D.抛光垫 -
多项选择题
影响CMP质量的因素有（）
A.抛光压力
B.抛光液PH值
C.转速
D.抛光区域温度 -
多项选择题
高温回流一般用于（）
A.平滑处理
B.部分平坦化
C.局部平坦化
D.全局平坦化
