问答题
简述4次光刻的工艺流程。
栅极→a-Si:H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极
问答题 简述5次光刻的工艺流程。
问答题 简述背沟道阻挡结构的优缺点。
问答题 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。