问答题
简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
优点是光刻次数少，材料成本低，工艺节拍短；缺点是刻蚀选择比小，a-Si：H层相应要做得厚些，一般为1500~2000&A......
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问答题 从电导率的角度思考，如何能制作出高性能的薄膜晶体管？提高载流子浓度可以吗？
问答题 主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
问答题 简述MOSFET的两个电场。
