问答题
简述5次光刻的工艺流程。
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极。
问答题 简述背沟道阻挡结构的优缺点。
问答题 简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
问答题 从电导率的角度思考，如何能制作出高性能的薄膜晶体管？提高载流子浓度可以吗？
