单项选择题
请选择光刻的正确操作步骤（）
A.预处理→涂胶→对准和曝光→软烘→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查
B.预处理→涂胶→坚膜烘焙→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→软烘→显影检查
C.预处理→涂胶→软烘→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查
D.预处理→涂胶→对准和曝光→软烘→曝光后烘焙→坚膜烘焙→显影→显影检查
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单项选择题
在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）
A.薄膜制备
B.光刻
C.刻蚀
D.金属化 -
单项选择题
化学气相沉积的基本步骤包括以下五步，其顺序正确的是（）① 反应物由主气流扩散到衬底表面② 参加反应的气体与混合物被运送到沉积区③ 反应物分子吸附在衬底表面上④ 反应副产物分子从衬底表面解吸，扩散到主气流中，排出沉积区⑤ 吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生反应，最终形成薄膜
A.②①③⑤④
B.②①⑤④③
C.②①⑤③④
D.②①③④⑤ -
单项选择题
APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD分别是（）的简称。
A.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
B.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积
C.低压化学气相淀积、常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
D.常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
