单项选择题
化学气相沉积的基本步骤包括以下五步，其顺序正确的是（）
① 反应物由主气流扩散到衬底表面
② 参加反应的气体与混合物被运送到沉积区
③ 反应物分子吸附在衬底表面上
④ 反应副产物分子从衬底表面解吸，扩散到主气流中，排出沉积区
⑤ 吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生反应，最终形成薄膜
A.②①③⑤④
B.②①⑤④③
C.②①⑤③④
D.②①③④⑤
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单项选择题
APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD分别是（）的简称。
A.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
B.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积
C.低压化学气相淀积、常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积
D.常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积 -
单项选择题
低压化学气相淀积的英文缩写是（）
A.APCVD
B.PECVD
C.LPCVD
D.HDPCVD -
单项选择题
在高温下洁净的硅片表面和氧化剂发生反应生成二氧化硅薄膜的方法是（）
A.热氧化
B.化学气相沉积
C.物理气相沉积
D.外延
