单项选择题
考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
A.功函数为3.5eV的半导体
B.功函数为3eV的半导体
C.功函数为4eV的半导体
D.功函数为4.2eV的半导体
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单项选择题
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
A.硼掺杂浓度为1015cm-3
B.磷掺杂浓度为1016cm-3
C.纯净硅
D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3 -
单项选择题
pn结雪崩击穿的的机理是（）
A.热击穿
B.隧道击穿
C.齐纳击穿
D.载流子的倍增效应 -
单项选择题
实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）
A.产生率等于复合率
B.产生率小于复合率
C.产生率大于复合率
D.存在净复合率
