单项选择题
室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
A.硼掺杂浓度为1015cm-3
B.磷掺杂浓度为1016cm-3
C.纯净硅
D.硼掺杂浓度为1015cm-3，磷掺杂浓度为1016cm-3
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单项选择题
pn结雪崩击穿的的机理是（）
A.热击穿
B.隧道击穿
C.齐纳击穿
D.载流子的倍增效应 -
单项选择题
实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）
A.产生率等于复合率
B.产生率小于复合率
C.产生率大于复合率
D.存在净复合率 -
单项选择题
下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）
A.小注入条件
B.突变耗尽层条件
C.耗尽层有载流子的产生与复合
D.玻尔兹曼边界条件
