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单项选择题
对晶向为，6英寸N型半导体材料来说，（）是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。
A.主平面
B.次平面
C.两表平面均可
D.定位槽 -
单项选择题
晶向为.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出（）
A.一个基准面
B.两个基准面且呈45度角
C.两个基准面且呈90度角
D.定位槽 -
单项选择题
从安全上看，四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为：（）
A.硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法＜三氯化硅氢还原法
B.四氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法
C.三氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法
D.硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法＜四氯化硅氢还原法
