单项选择题
晶向为<111>.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出()
A.一个基准面
B.两个基准面且呈45度角
C.两个基准面且呈90度角
D.定位槽
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单项选择题
从安全上看,四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为:()
A.硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法<三氯化硅氢还原法
B.四氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法
C.三氯化硅氢还原法<硅烷热分解法<四氯化硅氢还原法
D.硅烷热分解法<三氯化硅氢还原法<四氯化硅氢还原法 -
单项选择题
离子注入、退火、快速热退火的英文分别是()
A.anneal,ion implantation,RTA
B.diffusion,anneal,RTA
C.ion implantation,anneal,RTA
D.ion implantation,anneal,CVD -
单项选择题
()是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中,改变材料电学性质,达到形成半导体器件的目的。
A.光刻
B.掺杂
C.刻蚀
D.金属化
