单项选择题
小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为r，则非平衡载流子的寿命为（）
A.1/（rn0）
B.1/（rp0）
C.1/（r△p）
D.1/（r△n）
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单项选择题
已知半导体的费米能级位于禁带内，且距离导带底约1/3禁带宽度，则平衡电子浓度n0和空穴浓度p0的大小关系约为（）
A.n0=p0
B.n0＜p0
C.n0＞p0
D.n0=2p0 -
单项选择题
电离杂质散射概率与温度关系正确的是（）
A.A
B.B
C.C
D.D -
单项选择题
掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）
A.硅>锗>砷化镓
B.硅>砷化镓>锗
C.砷化镓>锗>硅
D.砷化镓>硅>锗
