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单项选择题
掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）
A.硅>锗>砷化镓
B.硅>砷化镓>锗
C.砷化镓>锗>硅
D.砷化镓>硅>锗 -
单项选择题
半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）
A.抛物线
B.双曲线
C.e指数
D.线性 -
单项选择题
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子
B.施主杂质电离后，电离中心带正电
C.施主杂质是一种间隙式杂质
D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
