单项选择题
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）
A、1/4
B、1/e
C、1/e2
D、1/2
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单项选择题
如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小 -
单项选择题
锗的晶格结构和能带结构分别是（）
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型 -
单项选择题
不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。
A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）
