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单项选择题
不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。
A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV） -
单项选择题
金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。
A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性 -
单项选择题
GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）
A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小
