相关考题
-
单项选择题
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子
B.施主杂质电离后，电离中心带正电
C.施主杂质是一种间隙式杂质
D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体 -
单项选择题
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体 -
单项选择题
布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。
A.晶体
B.非晶体
C.气体
D.玻璃体
