单项选择题
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
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A.晶体
B.非晶体
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A.1
B.2
C.3
D.4 -
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A.2/a3
B.1/a3
C.4/a3
D.4/a2
