单项选择题
同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,mn*/m0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是()
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
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D.陷阱
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A.电子;
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A.少数载流子反型状态,多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态,少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态,多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态
