单项选择题
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态
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单项选择题
对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）
A.无关；
B.成正比；
C.成反比；
D.的平方成反比 -
单项选择题
以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）
A、平方成正比；
B、3/2次方成反比；
C、平方成反比；
D、1/2次方成正比； -
单项选择题
本征半导体是指（）的半导体。
A、不含杂质与缺陷；
B、电子密度与空穴密度相等；
C、电阻率最高；
C、电子密度与本征载流子密度相等。
