相关考题
-
多项选择题
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖
B.用两步外延法
C.低压外延法
D.降低外延生长温度 -
多项选择题
PVD的种类有（）
A.真空蒸镀
B.等离子体
C.溅射
D.二氧化硅 -
多项选择题
CVD的特点是（）
A.薄膜成分可控
B.速度优于PVD
C.黏附性好
D.纯度高
