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问答题
计算题
有一块掺磷的n型硅，N
D
=10
15
cm
-3
，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。
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问答题
以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
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