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问答题
计算题
以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
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已知Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，Eg=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5×1015cm-3，受主浓度NA=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？
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在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，计算77K时的Nc和NV。
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