单项选择题
MOSFET的温度特性体现为：（）。
A.温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B.温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
点击查看答案
相关考题
-
多项选择题
以下哪几项是集成电路制作工艺的（）。
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG -
多项选择题
集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。
A.漏电流增大导致总功耗增加
B.栅极氧化膜厚度接近物理极限
C.电路规模增大导致动态功耗增加
D.配线延迟不能相应降低从而影响性能 -
填空题
为了进行时序验证、功耗验证、信号完整性验证及电子迁移性验证，需要从版图结果中提取（）。
