单项选择题
下面关于MOSFET电容不正确的是（）
A.结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的
B.横向扩散xd是由工艺决定的，习惯上把它与每单位面积的栅氧电容相乘得到每单位晶体管宽度的覆盖电容
C.避免电路工作在阈值电压附近可以使线性电容具有较好特性
D.栅至沟道的电容CGC的大小以及它的划分取决于工作区域和端口电压
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单项选择题
集成电路生产时的固定成本与销售量（）；可变成本是直接用于制造产品的费用，与产品的产量成（）。
A.有关；反比
B.无关；正比
C.无关；反比
D.有关；正比 -
单项选择题
过热的危害是（）
A.强度不足，导通不良，可能时通时断
B.强度低，导电性能不好
C.不导通或导通不良
D.焊盘强度降低，容易剥落 -
单项选择题
执行Reports/Bill of Materials，可以（）
A.生成BOM表
B.生成原理图文件
C.生成库文件
D.生成PCB文件
