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直拉单晶硅工艺学
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填空题
拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10
-2
～10
-4
欧姆•厘米的P型硅单晶，一般掺（）。
【参考答案】
三族纯元素
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填空题
拉制硅单晶的电阻率范围不同，掺杂剂的形态也不一样，拉制低电阻率10-2～10-3欧姆•厘米的N型硅单晶，一般掺（）。
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