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单项选择题
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
A.相同
B.不同
C.无关 -
单项选择题
在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关
A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度 -
单项选择题
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
A.上移
B.下移
C.不变
