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问答题

计算题

已知半导体材料GaAs(镓砷)的禁带宽度Eg=1.43ev,InGaAsP(铟镓砷磷)的Eg=0.96ev,分别求由这两种材料组成的半导体激光器的发射波长。(普朗克常数h=6.626×10-34J·S,1ev=1.6×10-19J)

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