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填空题
当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。
【参考答案】
升高
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填空题
随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（）。（填“升高”或“降低”）
填空题
假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极管处于（）（填“正”或“反”）偏置状态。
单项选择题
栅源电压一旦下降至阈值电压以下时电流应当下降得尽可能（），即斜率系数S的值越（）。
A.慢；大
B.快；大
C.快；小
D.慢；小
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