欢迎来到建筑考试题库网
建筑考试题库官网
登录
注册
首页
注册建造师
注册建筑师
消防工程师
造价工程师
注册环保工程师
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路技术综合练习
搜题找答案
判断题
低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。
【参考答案】
正确
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化.化学汽相沉积.原子层沉积法等方法获得。
判断题
结晶型的二氧化硅就是石英。
判断题
热氧化方法中水汽氧化比干氧氧化速度快。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
