单项选择题
空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）
A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用
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单项选择题
下面说法正确的是（）
A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高 -
单项选择题
关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）
A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置 -
单项选择题
如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）
A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
