单项选择题
以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是()
A.金属锗 B.透明环己烷 C.氧化硅
单项选择题 由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。
单项选择题 开始发生再结晶的标志是()
单项选择题 纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在()位置首先发生再结晶形核。