单项选择题
在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
A.锗B.磷C.硼D.锡
单项选择题 对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
填空题 ()杂质可显著改变载流子浓度;()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。
填空题 反向偏置pn结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为pn结击穿,主要的击穿机理有两种:()击穿和()击穿。