判断题
共模抑制比越大，差放电路分辨差模信号的能力越强，受共模信号的影响越小。
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判断题 温度每升高1℃，uBE就减小2～2.5mV。
判断题 硅管的正向导通压降大于锗管。
判断题 PN结加反向电压，耗尽层将变厚。
