问答题
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，......
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问答题 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
问答题 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
问答题 MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
