问答题
GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何?其减少被保护器件开关损耗的机理如何?
缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。关断过程:Cs与GTR集射极并联,利......
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问答题 GTR、IGBT等过流保护中,为何要采用检测集射极电压作为保护基准?
问答题 GTR、P-MOSFET、IGBT使用中,电流定额选择中各要注意什么?
问答题 试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。