问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

问答题 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： （1）禁带宽度；  （2）导带底电子有效质量； （3）价带顶电子有效质量；  （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。