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半导体物理

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问答题

计算题

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

【参考答案】

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问答题 有一块掺磷的n型硅,ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度。

问答题 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?

问答题 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?

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