单项选择题
如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
A、变大，变大 B、变小，变小 C、变小，变大 D、变大，变小
单项选择题 锗的晶格结构和能带结构分别是（）
单项选择题 不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。
单项选择题 金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。
