判断题
热扩散掺杂工艺可以一步实现。
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判断题 把硅片对离子注入的方向倾斜30度可抑制通道效应。
判断题 使用化学腐蚀法检查针孔时,硅表面的腐蚀坑数目就是二氧化硅的针孔数目。
判断题 金属化是指根据电路设计要求,把硅片上制成各种晶体管.二极管等元器件用金属薄膜固定的方式。