问答题
举例说明PECVD成膜的使用的气体及反应方程。
PECVD制备a-Si：H薄膜的，使用的气体是SiH4、H2，成膜温度大约为315℃，反应方程为：
问答题 简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。
问答题 简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
问答题 简述PE和RIE设备的不同点。
